有望提升NAND Flash存儲容量8倍

　　英國 Glasgow University 正在研發可以進一步提升存儲容量取代現有 NAND Flash 的物料，捨棄傳統金屬氧化物半導體改為採用多金屬氧鹽酸化合物，能同等佔用空間大幅提升儲存能力高達 8 倍，將適用於智能手機、平板電腦以至更細小的智能裝置等裝置中。

　　智能裝置的儲存裝置主要採用 NAND Flash ，採用金屬氧化物半導體制程，這種制程現時已達至 15nm 水平，但要進一步突破至 10nm 以下將會碰到物理上的局限性，因此限制了裝置大小以及儲存空間，而且寫入次數及壽命將會下降。 

　　英國 Glasgow University 正在研究以分子物料擴展 NAND Flash 的存儲裝置空間，有別於現時採用金屬氧化物半導體，改用多金屬氧鹽酸化合物，合作可發揮存儲能力的分子，實驗顯示這種分子的結構穩定性和通電能力都符合要求，相較傳統 NAND Flash 效提升儲存空間高達 8 倍。

　　負責此項研究的英國 Glasgow University 教授 Lee Cronin 表示，或用「多金屬氧鹽酸」的化合物好處是能直接應用於現有 NAND Flash 的生產線中無需要重新設計現有 NAND Flash ，將可擴大現有智能裝置儲存容量，現時團隊正要克服數據存儲存的物理性局限性，目標是把分子物料制作的 NAND Flash 寫入次數提升至傳統物料的水平相同。

市況疲弱 NAND Flash合約價僅持平

　　DRAM 價格近月持續強勢上升，反觀旬 NAND Flash 合約價則在 4 月下旬受到淡季效應而表現僅為穩持平，僅低容量 32Gb MLC 顆粒因供應減少而出現小幅上漲，但漲幅也開始收斂，據市場調查機構 DRAMeXchange 預估，第二季在整體終端需求普遍轉弱的情形下，高容量 MLC 晶片價格將繼續軟弱。

　　據 DRAMeXchange 指出，在傳統銷售淡季中，雖然市場期待中國五一假期可拉抬整體市場買氣，但由於 4 月上旬過後通路市場客戶對後市採取保守觀望態度，備貨動能不如預期，即使 NAND Flash 原廠透過緊縮通路市場供貨，以減緩淡季效應衝擊，但在隨身碟與記憶卡需求持續衰退下，通路端客戶對 NAND Flash 價格更為嚴謹，接受高價訂貨意欲大大減低，使得 4 月下旬 NAND Flash 合約價未有上升，僅維持平穩走勢。

不過，由於廠商將產能轉往 64Gb 以上的高容量顆粒，令低容量 32Gb MLC 顆粒供應減少，因此 32Gb MLC 仍可維持小漲 5-6% ，但在目前供給端減少的幅度仍大於需求端的下滑，在供不應求的情況下雖能維持漲勢，但漲幅也開始收斂。

　　展望未來， 據分析認為，大多數智慧型手機、平板電腦與 Ultrabook 的新產品拉貨動會在 6 月中下旬啟動， 6 月之前銷售表現將會疲軟，隨身碟與記憶卡市場的傳統銷售旺季也是在下半年才會出現，預期整體 NAND Flash 產業在 5 、 6 月份並無明顯起色。

　　另一方面， NAND Flash 原廠在第二季加速轉進 20nm 等級製程， 64Gb MLC 以上的高容量顆粒供給量快速增加，在整體終端需求普遍轉弱的情形下，高容量 MLC 晶片價格將開始走軟，相反低容量 MLC 與 TLC 的產出持續減少，價格將會較為平穩。

NAND Flash合約均價反彈17%

　　由於智慧型手機、平板電腦及 Ultrabook 需求持續增長， 9 月至 11 月期間 OEM 訂單集中，為配合廠商進行備貨，多數 NAND Flash 供應商將產能供應給需求相對較佳的系統產品為優先，加上早前中國十一長假，廠商在此之前需回補庫存，令主流 MLC NAND Flash 合約均價於 10 月上旬大幅反彈。

　　較早前 NAND Flash 面對市場旺季不旺影響而導致交易清淡，價格只能維持平穩走勢，但隨著 9 月至 11 月 OEM 廠商為準備系統產品出貨，加上中國十一長假期前廠商也提升庫存備貨，因而增加對 NAND Flash 採購， 10 月上旬主流 MLC NAND Flash 合約均價持續上漲約 3-17% 。

　　據市場調查機構 TrendForce 認為，近期造成 NAND Flash 合約價反彈的原因，主要是來自 OEM 客戶為新產品上市進行備貨準備，加上先前 Toshiba 減產後調整了供應量，合約價上漲符合淡旺季的定價策略。

　　不過，由於業者對年終假期實際銷售數字持保守心態，即使供應端方面希望價格漲勢能延續到 11 月，但買方認為 10 月應為備貨高峰，而 10 月後市價格應緩步下修。據 TrendForce 預期，在 11 月初 OEM 備貨高峰期過後，原廠即將面對年底的作帳壓力，因此 NAND Flash 合約價應會轉為緩步下跌走勢，後續的價格變化仍需視聖誕假期實際銷售狀況及中國農曆年長假前的補貨需求強度而定。

九月上旬NAND Flash合約價平穩

　　雖然面對市場旺季不旺影響而導致交易清淡，但隨著智慧型手機、平板電腦等新產品備貨需求提升，使得 NAND Flash 價格保持穩定，繼八月份 NAND Flash 合約價持續走穩後，據市場調查機構 DRAMeXchange 最新發表的 NAND Flash 價格走勢報導指出，九月上旬 NAND Flash 合約均價依然持平，甚至出現小漲格局。

　　據報告指出，雖然傳統銷售旺季即將來臨，但目前全球經濟仍處於不穩定狀態， NAND Flash 買方對傳統銷售旺季持保守看法，為了減低風險，買方在庫存管理方面採取謹慎態度，使 NAND Flash 需求未見明顯提升。

　　同時，在隨身碟市場方面，由於 NAND Flash 廠商供貨調節策略，下游生產隨身碟的廠商無法取得穩定且具規模的貨源，出貨動能與產品組合受到大幅影響，加上隨身碟廠商原先預期 USB 3.0 產品可望成為下半年刺激市場銷售的助力，但隨著 Ivy Bridge 延後上市以及 Windows 8 所導致的 PC 買氣遞延，使得 USB 3.0 產品需求不如原先預期，因此整體 NAND Flash 成長量不如預期。

　　尤幸智慧型手機、平板電腦等新產品備貨 需求提升，加上 SSD 需求量亦穩定攀升，令 NAND Flash 需求量得以維持。據 DRAMeXchange 預估， NAND Flash 合約價在近期仍將維持平穩狀態，但隨身碟市場僅會較上季小幅成長，呈現出旺季不旺的情況，而第四季價格走勢，則需將取決於年底銷售旺季表現而定。

4月下旬NAND Flash價格跌2-9%

市場調查機構 DRAMeXchange 3 日發表 4 月下旬 NAND Flash 價格走勢報告，指出 4 月下旬好包括庫存回補需求、僅少數新機上市、以及系統產品及記憶卡需求疲弱影響，而且買賣雙方在議價上意見不一，在持續拉鋸下 4 月下旬主流 NAND Flash 合約均價下跌約 2-9% 。同時， DRAMeXchange 預期後市將受到多項因素影響，第 2 季仍處於淡季期間， NAND Flash 合約價格仍將呈現緩跌走勢，預期至第 3 季初因部分系統產品客戶新機型上市，備貨需求回溫使得價格開始止跌回穩。

由於中國在勞動節庫存回補需求不如預期，平板電腦及智慧型手機未有大量新機出現，加上系統產品及記憶卡應用市場依然持續受到上半年淡季影響， NAND Flash 需求回弱，同時在圓賣雙方議價方面，由於 NAND Flash 價格自今年年初以來大幅下跌已對 NAND Flash 供應商獲利造成不利影響，賣方力守價格，買方則盡量把成本減至最低而在議價持續拉鋸，最終部分廠商晶片合約價未能於 4 月底前達成共識， 4 月下旬主流 NAND Flash 合約均價下跌約 2-9% 。

預期，在新處理器平台、作業系統及具低成本的 20nm 級製程 SSD 產品上市時程計劃中，新 Ultrabook 、智慧型手機及平板電腦新機型的出貨量或許要待至第 4 季始望明顯提升，在 NAND Flash 相關應用產品上市備貨上將遞延至第 3 季開始。

另一方面，由於上半年市場需求不如預期，加上下半年新產品上市遞延，大部份 NAND Flash 供應商多已表達將會謹慎調控 2012 年資本支出及位元產出成長率，並將暫緩晶圓廠擴充計劃，或轉換部分生產線來生產非記憶體 IC 產品。同時， NAND Flash 供應商也將會逐漸降低需求相對較弱的記憶卡及 UFD 通路市場營收比重，轉移加強嵌入式應用如 eMMC 、 mSATA 及 SSD 比重以提升營收，以舒緩價格下跌對獲利造成的衝擊。

綜合上述因素，據 DRAMeXchange 預估指出，雖然第 2 季 NAND Flash 市場仍將處於供過於求的局面，但 NAND Flash 供應商受早前跌價影響獲利下，再加上 20nm 級新製程產品的良率 / 性能 / 可靠度仍須時間改善，賣方在價格下調意欲不大，預期第 2 季 NAND Flash 合約價格僅為緩跌，並可望在第 3 季系統產品客戶為新機型開始作準備下，對 NAND Flash 備貨需求回溫使得價格開始止跌回穩。

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